광학기기
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작성일 22-09-20 06:33
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- 테라헤르츠파 광원
- 극초단 방사원(X-선) 스위치 개발
- 전자빔 [電子-, electron beam]
- 전자현미경
- 광학현미경
- 테라헤르츠파 광원
: 일반적으로 0.1 -10 THz 정도의 주파수를 가진 전자파를 발생하며, 파장으로는 30㎛ - 3000㎛, 에너지로는 0.4 - 40meV에 해당하는 영역이다. 즉 MBE나 MOCVD등의 방법을 이용하여 저차원 전자구조를 갖는 양자소자 제작이 가능하게되었고, 이 저차원 양자소자에서 일어나는 characteristic(특성)은 기존의 물리현상과는 다른 결과들을 보여 주고있다 즉, 이러한 전자계에서의 페르미 에너지나 부준위 간격등이 수 meV범위내에 존재하게 된다 에너지가 수 meV이기 때문에 진동수의 크기는 수 테라헤르트 범위에 있게 된다 그러므로 원적외선 전자파와 저차원 전자계가 강하게 상호 작용할 수 있게되고, 자기-포톤-포논 공명과 같은 광자 유도 양자공명현상결과 를 관측하는 것이 가능하다. 그러나 테라헤르츠파가 편광성을 가질 때 준 2차원계인 양자우물에서 관측된 공명현상과 같이 양자선이나 양자점과 같은 저차원 양자소자계에서도 공명현상이 관측되리라 기대되는데 이에 대한 연구는 experiment(실험)적, 理論(이론)적 결과가 거의 제시 되지 않고있다 본 연구에…(drop)
본 자료는 광학기기의 대한 내용을 정리한 리포트입니다. 따라서 우리가 흔히 말하는 빛과 기존의 전자파 영역의 중간에 위치하나 현재 이 대역에 만족할 만한 광원이 없다.
광학기기
설명
다. 그리고 많은 화합물 반도체중 초격자구조를 갖는 GaAs를 기반으로 한 저차원 전자계에 마주향하여 , 불순물이나 포논에 의한 산란에 기인한 전자 천이 율이 테라헤르츠 범위에 있게 되어 원적외선 전자파는 여기 전자에 대한 운동량과 에너지 이완에 강하게 effect을 주게된다 이것은 곧 반도체 GaAs를 기반으로 한 저차원 전자계가 선형 및 비선형 영역에서 작동하는 테라헤르츠파 광원 소자로써 적용이 가능하다는 것을 의미한다. 테라헤르츠파 영역에서의 물질의 characteristic(특성)은 현재까지 자유전자 레이저를 이용하여 주로 bulk상태나 준 2차원 전자계에 대하여 여러 가지 방법으로 조사하였고 , 그 characteristic(특성)에 대한 理論(이론)적 계산과 모델을 가정하여 많이 규명하여 왔다.기기리포트자료모은것[1] , 광학기기공학기술레포트 ,
레포트/공학기술
기기리포트data(資料)모은것[1]
본 data(資料)는 광학기기의 대한 내용을 요점한 리포트입니다. 최근 반도체 제조기술의 발전에 의하여 나노구조를 가지는 반도체를 제작할 수 있게되었다.
